logo
  • Spanish
Inicio ProductosVentana óptica

Substratos de vidrio de borosilicato óptico de alta claridad en semiconductores

Estoy en línea para chatear ahora

Substratos de vidrio de borosilicato óptico de alta claridad en semiconductores

High Clarity Optical Borosilicate Glass Substrates In Semiconductor
High Clarity Optical Borosilicate Glass Substrates In Semiconductor
High Clarity Optical Borosilicate Glass Substrates In Semiconductor High Clarity Optical Borosilicate Glass Substrates In Semiconductor High Clarity Optical Borosilicate Glass Substrates In Semiconductor High Clarity Optical Borosilicate Glass Substrates In Semiconductor High Clarity Optical Borosilicate Glass Substrates In Semiconductor

Ampliación de imagen :  Substratos de vidrio de borosilicato óptico de alta claridad en semiconductores

Datos del producto:
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: LONGWAY
Certificación: ISO9001
Número de modelo: Se trata de un artículo de la Directiva 2009/125/CE.
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 500 piezas
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: Papel, espuma y cartón para condensadores electrolíticos
Condiciones de pago: D/P, T/T, Western Union
Capacidad de la fuente: 30000 pedazos por mes

Substratos de vidrio de borosilicato óptico de alta claridad en semiconductores

descripción
Forma de las piezas: En el plano Superficie: Claro y transparente
Transmisión: > 90% Revestimiento: Disponible
Procesamiento: el pulido Aplicación: Optica
Resaltar:

Substratos de vidrio de borosilicato óptico de alta claridad

,

Substrato de vidrio óptico

,

Substrato óptico en semiconductores



Sustratos de vidrio de borosilicato óptico de alta claridad en semiconductores


Material:

  • Composición base: Principalmente dióxido de silicio (SiO₂) y trióxido de boro (B₂O₃), con un contenido mínimo de álcalis.

  • Fabricación: Producido mediante fusión continua en hornos revestidos de platino para garantizar una pureza y homogeneidad extremas. A menudo pulido a una rugosidad superficial subnanométrica.

  • Aditivos clave: Adiciones precisas de alúmina (Al₂O₃) para la estabilidad química y agentes de refinación para eliminar burbujas/impurezas.

Propiedades clave:

  1. Claridad óptica excepcional: Transmisión de luz ultra alta (>90%) en los espectros UV a NIR (por ejemplo, 185 nm-2μ m), autofluorescencia mínima.

  2. Baja expansión térmica (CTE): CTE extremadamente bajo (∼3.3 × 10⁻⁶/K a 20°C), que coincide con las obleas de silicio para evitar fallas inducidas por estrés durante los ciclos térmicos.

  3. Resistencia térmica y química superior: Resiste procesos de semiconductores agresivos:

    • Térmica: Estable hasta 500°C; resiste el choque térmico por calentamiento/enfriamiento rápido.

    • Química: Inerte a ácidos, álcalis y disolventes (por ejemplo, reveladores de fotorresistencias, grabadores).

  4. Alta calidad de la superficie: Suavidad casi atómica (<0.5 nm Ra) fundamental para la nanolitografía y el depósito de película delgada.

  5. Baja contaminación iónica: Migración mínima de iones alcalinos (Na⁺, K⁺) que evita la contaminación del dispositivo.

  6. Estabilidad mecánica: Alto módulo de Young (∼64 GPa) asegura la rigidez dimensional bajo estrés de procesamiento.

Función principal:

  • Servir como una plataforma ultra estable e inerte para los procesos de fabricación de semiconductores.

  • Proporciona una superficie libre de defectos para el modelado de alta resolución (por ejemplo, fotomáscaras EUV).

  • Actúa como una ventana protectora para sensores y ópticas en entornos hostiles.

  • Permite la transmisión precisa de la luz para sistemas de inspección, metrología y litografía.

Aplicaciones principales en semiconductores:

  1. Blancos de fotomáscaras: Material base para máscaras de fotolitografía EUV/ArF que requieren defectos casi nulos.

  2. Cubiertas de MEMS y sensores: Tapas de sellado hermético para sensores de presión, detectores de infrarrojos y dispositivos MEMS.

  3. Componentes de manipulación de obleas: Placas de soporte, ventanas de inspección y etapas de alineación en herramientas de procesamiento de obleas.

  4. Empaquetado avanzado: Interposiciones y sustratos para la integración 2.5D/3D IC.

  5. Óptica de equipos de proceso: Lentes, mirillas y espejos en grabadores de plasma, cámaras CVD y herramientas láser.

  6. Metrología e inspección: Fundamental para sistemas de alineación de alta precisión y escáneres de defectos.

En esencia: Los sustratos de vidrio de borosilicato óptico de alta claridad son materiales de ingeniería ultra puros y térmicamente estables, esenciales para la fabricación de semiconductores. Su combinación única de transmisión óptica casi perfecta, expansión térmica casi nula, inercia química y planitud superficial a nivel atómico permite una precisión a escala nanométrica en fotolitografía, protege componentes sensibles y garantiza la fiabilidad en entornos de proceso extremos. Estos sustratos apoyan directamente el rendimiento y la producción en nodos avanzados (por ejemplo, sub-5 nm), la producción de MEMS y el empaquetado de próxima generación.


Artículo Disco de vidrio, Oblea de vidrio, Sustrato de vidrio
Material Vidrio óptico, Vidrio de cuarzo, Vidrio de borosilicato, Vidrio flotado, borofloat
Tolerancia de diámetro +0/-0.2 mm
Tolerancia de espesor +/-0.2 mm
Procesado Por corte, rectificado, templado, pulido
Calidad de la superficie 80/50,60/40,40/20
Calidad del material Sin arañazos ni burbujas de aire
Transmisión >90% para luz visible
Chaflán 0.1-0.3 mm x 45 grados
Recubrimiento de superficie Disponible
Uso Fotografía, Óptica, Sistema de iluminación, Área industrial.


Substratos de vidrio de borosilicato óptico de alta claridad en semiconductores 0


Substratos de vidrio de borosilicato óptico de alta claridad en semiconductores 1


Substratos de vidrio de borosilicato óptico de alta claridad en semiconductores 2




Contacto
Shanghai Longway Special Glass Co., Ltd.

Persona de Contacto: Mr. Dai

Teléfono: +86-13764030222

Fax: 86-21-58508295

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)